個別半導体のタイプ
適用されたフィルタ:
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
06/03/2025
06/03/2025
1,200V、1A、または2Aハイパーファースト整流器で、SlimSMA HV (DO-221AC)パッケージに収められています。
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05/20/2025
05/20/2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers
04/03/2025
04/03/2025
Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.
Vishay VS-EBU15006HN4超高速ソフトリカバリダイオード
03/25/2025
03/25/2025
高周波パワーコンディショニングシステムでの損失とEMI/RFIを低減するように最適化された150Aダイオードです。
Vishay SiJK5100E NチャンネルMOSFET
11/11/2024
11/11/2024
TrenchFET® Gen VパワーMOSFETで、100Vドレイン-ソース電圧および536Wの最大電力損失が備わっています。
Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV NチャンネルMOSFET
10/25/2024
10/25/2024
PowerPAK® 8mm x 8mm BWLパッケージに収められており、0.00115Ωのオン抵抗が備わっています。
Vishay SiJK140E Nチャネル40V (D-S) MOSFET
07/01/2024
07/01/2024
TrenchFET® Gen Vパワーテクノロジーを採用しており、同期整流とオートメーションに最適です。
Vishay VS-SC SOT-227 SiCショットキーバリアダイオード
05/17/2024
05/17/2024
高性能と耐久性を目的に作成されたワイドバンドギャップ650V/1200Vショットキーダイオードです。
表示: 1~25/67
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W(P3dB)、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz~1400MHzで動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W(P3dB)、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム(GaN)炭化ケイ素(SiC)HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
01/13/2026
01/13/2026
航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012(TopCool)パッケージを採用しています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
12/19/2025
電気自動車(EV)アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
表示: 1~25/1223
