Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
10/01/2024
10/01/2024
熱効率に優れた小型フォームファクタパッケージで、低オン抵抗を実現します。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
08/01/2024
08/01/2024
20V NチャネルMOSFETは、RDS (ON)を最小限に抑えるように設計されており、X2-DFN0806-3パッケージで提供されます。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
04/01/2024
04/01/2024
オン状態抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えるように設計されていると同時に、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
03/30/2023
03/30/2023
AEC-Q101認定MOSFETで、最小限のオン状態損失を保証する低RDS (ON) が備わっています。
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
03/06/2023
03/06/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/24/2023
01/24/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/18/2023
01/18/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/17/2023
01/17/2023
オン状態損失を最小化する低RDS(ON)を備えたAEC-Q101規格に対応するMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
05/11/2022
05/11/2022
AEC-Q101認定80V、270A Nチャンネル拡張モードMOSFETで 、PowerDI®1012-8(TOLL)パッケージに収められています。
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012(TopCool)パッケージを採用しています。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
onsemi NVNJWS200N031LシングルNチャネルパワーMOSFET
10/14/2025
10/14/2025
本デバイスは、低い RDS(on)と低いゲートしきい値を備えており、ウェッタブルフランク付きで提供されます。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 7最適化40VパワーMOSFET
10/02/2025
10/02/2025
ドライブ、パワーツール、ガーデニングツール向けに効率的な電力変換を行うようカスタマイズされたソリューションを提供します。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7パワーMOSFET
09/30/2025
09/30/2025
要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能Nチャンネルトランジスタです。
onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET
09/08/2025
09/08/2025
堅牢な20V、890mA NチャンネルパワーMOSFETで、高効率なスイッチングアプリケーション向けに最適化されています。
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