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STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
ハイブリッドと電気自動車のOBCを対象とした統合NTCが搭載されている3相4線式 PFCトポロジが備わっています。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段を対象としたNTCが搭載された6パックトポロジが備わっています。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
STMicroelectronics ESDAxWY車載用単方向ESD保護
STMicroelectronics ESDAxWY車載用単方向ESD保護
01/10/2025
過酷な環境で敏感な電子機器を保護するように設計されているTVSです。
STMicroelectronics TN8050H-12WL 高温対応 SCRサイリスタ
STMicroelectronics TN8050H-12WL 高温対応 SCRサイリスタ
01/01/2025
低いゲート電流で高い耐ノイズ性を必要とする産業用アプリケーションに適しています。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（ダイオード搭載）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（ダイオード搭載）
12/24/2024
ハーフブリッジトポロジに2個のIGBTとダイオードが組み合わされています。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双方向シングルラインTVSダイオード
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双方向シングルラインTVSダイオード
10/14/2024
このデバイスは、データラインまたは他のI/OポートをESD過渡現象から保護するように設計されています。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超高速ブリッジモジュール
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超高速ブリッジモジュール
10/08/2024
車両に統合された充電器アプリケーション、または充電ステーションでの使用に適しています。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG車載グレードIGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG車載グレードIGBT
09/12/2024
高度トレンチゲートフィールドストップ構造を使用して開発されました。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG車載グレードIGBT
09/12/2024
高度な独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を使用して設計されています。
STMicroelectronics ESDA5WY車載単方向ESD保護
STMicroelectronics ESDA5WY車載単方向ESD保護
09/10/2024
過酷な環境向けに開発された車載用単方向過渡電圧サプレッサ(TVS)です。
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR車載用高電圧整流器
STMicroelectronics STBR3012L2Y-TR車載用高電圧整流器
08/09/2024
一貫して再現可能な特性と本質的な耐久性を備えた高品質設計。
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
07/03/2024
1200V、40A、低損失、低い熱抵抗を実現。TO-247ロング・リード・パッケージで提供。
STMicroelectronics STripFET F8NチャンネルパワーMOSFET
STMicroelectronics STripFET F8NチャンネルパワーMOSFET
12/01/2023
AEC-Q101認定済み。30V～150Vの幅広いパッケージ・ソリューションを提供。
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速HシリーズIGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速HシリーズIGBT
10/31/2023
高度トレンチゲート・フィールドストップ構造を用いて設計されています。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール
10/19/2023
ハイブリッドと電気自動車のDC/DCコンバータ段を対象に設計されています。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
10/01/2023
MDメッシュK6技術が採用されており、スーパージャンクション技術における20年の経験が活用されています。
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
08/18/2023
車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。
STMicroelectronics STPSTxH100/Y Trenchパワーショットキーダイオード
STMicroelectronics STPSTxH100/Y Trenchパワーショットキーダイオード
06/29/2023
高スイッチング周波数での効率要件を満たしています。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
05/08/2023
このデバイスには、STのSTripFET F8テクノロジーが活用されており、強化されたトレンチ ゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics LEO（地球低軌道）耐放射線性IC
STMicroelectronics LEO（地球低軌道）耐放射線性IC
04/04/2023
費用対効果、耐放射線性、品質保証、出荷数の組み合わせ
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    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
    02/05/2026
    High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    01/13/2026
    航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    01/08/2026
    超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    11/24/2025
    サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
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