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Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
02/03/2026
要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
02/03/2026
Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
01/20/2026
600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
01/13/2026
航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
01/08/2026
超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
12/23/2025
幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
11/24/2025
サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
11/24/2025
Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode
Diotec Semiconductor BZT52C39-AQ SMD Planar Zener Diode
11/20/2025
Provides accurate voltage regulation with low leakage current and is AEC-Q101 qualified.
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