Texas Instruments UCC2773x/-Q1 ハーフブリッジ ゲートドライバ
01/29/2026
01/29/2026
パワーMOSFETおよびIGBTの駆動用に設計された、3.5Aソースおよび4Aシンク電流能力を提供します。
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1低圧側ゲートドライバ
12/24/2025
12/24/2025
これらのデバイスは、MOSFET、IGBT、およびSiCパワースイッチを効果的に駆動することが可能です。
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 ゲートドライバ
11/19/2025
11/19/2025
高速応答と大電流能力を必要とするスイッチングアプリケーション用に設計されています。
Texas Instruments LMG3626 700V 220mΩ GaN FET
09/29/2025
09/29/2025
ゲートドライバ、保護、電流センシングが組み合わされており、単一の8mm x 5.3mm QFNパッケージに収められています。
Texas Instruments LMG2656 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
09/09/2025
09/09/2025
8mm QFNパッケージによって、6mm設計を簡素化し、部品数を削減し、ボードスペースを節約します。
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1デュアルチャンネルゲートドライバ
06/19/2025
06/19/2025
これらのデバイスは、MOSFET、IGBT、SiCパワースイッチを効果的に駆動します。
Texas Instruments UCC5350L-Q1シングルチャンネル絶縁ゲートドライバ
05/09/2025
05/09/2025
MOSFET、IGBT、SiC MOSFETを駆動するように設計された10Aソースおよび10Aシンクの標準ピーク電流です。
Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaNパワーFETハーフブリッジ
04/17/2025
04/17/2025
このデバイスは、設計の簡素化、コンポーネント数の低減、基板面積の低減を実現しています。
Texas Instruments LMG3100R0x ドライバ内蔵GaN FET
03/13/2025
03/13/2025
1.7mΩ GaN FETとドライバを内蔵し、ハイサイドのレベルシフタとブートストラップ回路を組み込んでいます。
Texas Instruments TPS1210-Q1スマート・ハイサイドドライバ
03/10/2025
03/10/2025
統合11V充電ポンプと1.5μAという低シャットダウン電流（EN/UVLO =低）が特徴です。
Texas Instruments TPSI3100/TPSI3100-Q1絶縁型スイッチドライバ
01/27/2025
01/27/2025
外部パワースイッチと組み合わせることにより、絶縁型ソリッドステートリレーソリューションを形成します。
Texas Instruments TPS4813-Q1高圧側ドライバ
01/21/2025
01/21/2025
メインパスのMOSFETを駆動するための1.69Aソースと2Aシンク容量を持つ2つのゲートドライブが含まれています。
Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1ハーフブリッジドライバ
10/23/2024
10/23/2024
ハーフブリッジまたは同期降圧構成で2つのNチャンネルMOSFETを駆動するように設計されています。
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Texas Instruments UCC2773x/-Q1 ハーフブリッジ ゲートドライバ
01/29/2026
01/29/2026
パワーMOSFETおよびIGBTの駆動用に設計された、3.5Aソースおよび4Aシンク電流能力を提供します。
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1低圧側ゲートドライバ
12/24/2025
12/24/2025
これらのデバイスは、MOSFET、IGBT、およびSiCパワースイッチを効果的に駆動することが可能です。
Infineon Technologies CoolGaN™ドライブ HB600VG5 スイッチ
12/23/2025
12/23/2025
2つの 600V エンハンスメントモード CoolGaN スイッチを備えたハーフブリッジ電力ステージを統合します。
STMicroelectronics STDRIVEG612 600V ハーフブリッジ ゲートドライバ
12/19/2025
12/19/2025
5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。
STMicroelectronics STDRIVEG212 220V ハーフブリッジ ゲートドライバ
12/19/2025
12/19/2025
5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 ゲートドライバ
11/19/2025
11/19/2025
高速応答と大電流能力を必要とするスイッチングアプリケーション用に設計されています。
STMicroelectronics STSID140-12 SMD絶縁サイリスタドライバ
10/28/2025
10/28/2025
工業用および消費者向けアプリケーションでのパワーサイリスタ向けで、堅牢で効率的なトリガを実現するように設計されています。
Infineon Technologies EiceDRIVER 1ED301xMC12IゲートドライバIC
09/30/2025
09/30/2025
本製品は、IGBT、シリコン（Si）、またはシリコンカーバイド（SiC）MOSFETに対応した、オプト互換性を持つガルバニック絶縁型単一チャネルゲートドライバです。
Texas Instruments LMG3626 700V 220mΩ GaN FET
09/29/2025
09/29/2025
ゲートドライバ、保護、電流センシングが組み合わされており、単一の8mm x 5.3mm QFNパッケージに収められています。
Texas Instruments LMG2656 650V GaNパワーFETハーフブリッジ
09/09/2025
09/09/2025
8mm QFNパッケージによって、6mm設計を簡素化し、部品数を削減し、ボードスペースを節約します。
STMicroelectronics STDRIVEG211ハーフブリッジ・ゲートドライバ
08/28/2025
08/28/2025
Nチャンネル・エンハンスメント・モードのGaNとハイサイド・ドライバセクションは、最高220Vの電圧レールに耐えることができます。
STMicroelectronics STDRIVEG210ハーフブリッジ・ゲートドライバ
08/28/2025
08/28/2025
Nチャンネル・エンハンスメント・モードのGaNとハイサイド・ドライバセクションは、最高220Vの電圧レールに耐えることができます。
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1デュアルチャンネルゲートドライバ
06/19/2025
06/19/2025
これらのデバイスは、MOSFET、IGBT、SiCパワースイッチを効果的に駆動します。
ROHM Semiconductor BD16951EFV-M 2チャンネル・ハーフブリッジ・ゲートドライバ
06/10/2025
06/10/2025
独立して制御される4つの外部MOSFET（ ）と最大SPIクロック（7MHz）を備えています。
Texas Instruments UCC5350L-Q1シングルチャンネル絶縁ゲートドライバ
05/09/2025
05/09/2025
MOSFET、IGBT、SiC MOSFETを駆動するように設計された10Aソースおよび10Aシンクの標準ピーク電流です。
Monolithic Power Systems (MPS) MPQ18811 AEC-Q100 Single-Channel Gate Drivers
05/06/2025
05/06/2025
Isolated, high-performance solutions designed for automotive applications.
Toshiba TB9103FTG ゲートドライバIC
05/05/2025
05/05/2025
シングルチャンネルHブリッジ・ゲートドライバおよび2チャンネル・ハーフブリッジ・ゲートドライバで、車載設計を対象としています。
STMicroelectronics STDRIVE102BH/Hトリプルハーフブリッジゲートドライバ
04/29/2025
04/29/2025
トリプルハーフブリッジゲートドライバは、3相ブラシレスモータ駆動用に設計されています。
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