トランジスタのタイプ
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製造元
= Nexperia
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Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル FET。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル FET。
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
08/26/2025
08/26/2025
CFP15Bパッケージは、MJDシリーズに代わるコンパクトで費用対効果の高い製品で、DPAKパッケージに収められています。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ内の30V PチャネルFET。
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFET
04/14/2025
04/14/2025
さまざまなアプリケーションでの高効率電源管理用に設計された60Vおよび100V MOSFETです。
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
04/14/2025
04/14/2025
40V、8.0MΩ双方向GaN HEMTは、コンパクトな1.7mm x 1.7mm WLCSPパッケージに格納されています。
Nexperia NX5020x NチャンネルエンハンストモードFET
04/01/2025
04/01/2025
デバイスには、Trench MOSFET技術を使用した非常に低い閾値電圧および超高速スイッチングがあります。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A 中電力PNPトランジスタ
12/30/2024
12/30/2024
超薄型DFN2020D-3（SOT1061D）SMDプラスチックパッケージに収められたAEC-Q101認定PNPトランジスタです。
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
10/01/2024
10/01/2024
40V、4.8mΩ 双方向GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) で、WLCSPパッケージに収められています。
Nexperia PSMNxRx-80YSFNextPowerNチャンネルMOSFET
06/24/2024
06/24/2024
80V、標準レベルのゲートドライブMOSFETで、より高い効率性とより低いスパイクのための低Qrr が備わっています。
Nexperia NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFET
04/23/2024
04/23/2024
シリコンカーバイド(SiC)ベースの1,200VパワーMOSFETで、十分に確立された4ピンTO-247プラスチックパッケージに収められています。
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Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
06/19/2026
06/19/2026
750Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06/18/2026
06/18/2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies CIPOS™ Prime 車載用 CoolSiC™ パワーモジュール
05/06/2026
05/06/2026
xEVアプリケーションでハイパフォーマンスを発揮するように設計されています。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗［RDS(ON)］を備えています。
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
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