トランジスタのタイプ
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
Diodes Incorporated DXTP80x PNPバイポーラトランジスタ
09/18/2025
09/18/2025
小型フォームファクタで熱効率に優れたPowerDI 3333-8パッケージのPNPバイポーラトランジスタ。
Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタ
09/17/2025
09/17/2025
小型フォームファクタで熱効率に優れたPowerDI 3333-8パッケージ採用によって、最終製品の高密度設計が実現。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT)トランジスタ
11/14/2024
11/14/2024
超低VCE (SAT) 性能を達成するための独自の構造が特徴です。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
10/01/2024
10/01/2024
熱効率に優れた小型フォームファクタパッケージで、低オン抵抗を実現します。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
08/01/2024
08/01/2024
20V NチャネルMOSFETは、RDS (ON)を最小限に抑えるように設計されており、X2-DFN0806-3パッケージで提供されます。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET
06/24/2024
06/24/2024
オン状態抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中電力トランジスタ
05/01/2024
05/01/2024
フットプリントがSOT-23パッケージよりも50%小型化されたコンパクトなDFN2020-3パッケージでご用意があります。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
04/01/2024
04/01/2024
オン状態抵抗（RDS(ON)）を最小限に抑えるように設計されていると同時に、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V NチャンネルSiCパワーMOSFET
06/02/2023
06/02/2023
オン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
03/30/2023
03/30/2023
AEC-Q101認定MOSFETで、最小限のオン状態損失を保証する低RDS (ON) が備わっています。
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
03/06/2023
03/06/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/24/2023
01/24/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/18/2023
01/18/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/17/2023
01/17/2023
オン状態損失を最小化する低RDS(ON)を備えたAEC-Q101規格に対応するMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低電圧アバランシェトランジスタ
11/23/2022
11/23/2022
アバランシェモードでの動作を目的に設計されたシリコン平面バイポーラ・トランジスタです。
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs
05/27/2026
05/27/2026
Advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching.
Infineon Technologies CIPOS™ Prime車載用CoolSiC™ パワーモジュール
05/06/2026
05/06/2026
xEVアプリケーションでハイパフォーマンスを発揮するように設計されています。
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04/07/2026
04/07/2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 60VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
堅牢なパワーMOSFETテクノロジーにより、OptiMOS 5を超える優れた性能を提供します。
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 25VパワーMOSFET
03/27/2026
03/27/2026
アプリケーションに最適化された性能により、データセンター、サーバー、AIのピーク性能を実現します。
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU 双方向スイッチ (BDS)
03/20/2026
03/20/2026
650Vおよび110mΩノーマリオフ型窒化ガリウム (GaN)。コンパクトなTOLTパッケージで供給。
Infineon Technologies OptiMOS™ 8パワーMOSFET
03/17/2026
03/17/2026
Nチャンネル、ノーマルレベルの80Vまたは100V対応MOSFETで、非常に低いオン抵抗［RDS(ON)］を備えています。
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
03/17/2026
03/17/2026
これらのデバイスは、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
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