個別半導体のタイプ

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ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor RQxAT PチャンネルMOSFET
ROHM Semiconductor RQxAT PチャンネルMOSFET
08/21/2025
低ON抵抗の表面実装パッケージが特徴で、100% RgとUIS試験が完了しています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V(VDSS)、および連続ドレイン電流3.9A(ID)の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG パワーMOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG パワーMOSFET
08/21/2025
低オン抵抗、および高電力パッケージが特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。
ROHM Semiconductor RN242SM PINダイオード
ROHM Semiconductor RN242SM PINダイオード
08/20/2025
低静電容量と高周波スイッチングに適した超小型モールドパッケージが特徴です。
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA Pch -30V, パワーMOSFET
08/19/2025
-30V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
40V VDSS 、および±12A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
-60V VDSS 、および±36A ID 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
60V VDSS 、および±35A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
100V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETで、AEC-Q101認定を取得しています。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V Pチャンネル小信号MOSFET
08/19/2025
ドレイン-ソース電圧-40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±4,0A (ID) 定格MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RH7L04 60V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
AEC-Q101認定を取得済で、60V VDSS 、および±40A ID 定格の車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA, ツェナーダイオード
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA, ツェナーダイオード
08/19/2025
定電圧制御用途に最適な、小型パワーモールドパッケージのツェナーダイオード。
ROHM Semiconductor AG508EGD3 Pチャネル, -40V -40A, パワーMOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 Pチャネル, -40V -40A, パワーMOSFET
08/06/2025
このMOSFETは、車載グレードパワーMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN, 160V 1.5A, パワートランジスタ
ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP, 160V 1.5A, パワートランジスタ
ROHM Semiconductor 2SAR579D3 PNP, 160V 1.5A, パワートランジスタ
08/06/2025
このパワートランジスタはVCE(sat) が低く、低周波増幅用途に最適です。
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRAパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRAパワーMOSFET
08/04/2025
AEC-Q101認証取得の車載グレードMOSFET、HSMT8AGパッケージ
ROHM Semiconductor RBR40NS ショットキーバリアダイオード
ROHM Semiconductor RBR40NS ショットキーバリアダイオード
08/04/2025
スイッチング電源用。尖頭順方向サージ電流 100A。
ROHM Semiconductor PBZLx ツェナーダイオード
ROHM Semiconductor PBZLx ツェナーダイオード
08/04/2025
最大電力損失1000mW。定電圧制御用途に最適。
ROHM Semiconductor RxP120BLFRAパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRAパワーMOSFET
07/22/2025
自動車向けのAEC-Q101認定を取得したMOSFETで、自動車アプリケーションに最適です。
ROHM Semiconductor RxL120BLFRAパワーMOSFET
ROHM Semiconductor RxL120BLFRAパワーMOSFET
07/22/2025
ADAS、インフォテインメント、車載照明、ボディ電子機器向けの車載グレード・AEC-Q101適合MOSFETです。
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    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W(P3dB)、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W(P3dB)、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム(GaN)炭化ケイ素(SiC)HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz~1400MHzで動作します。
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    01/13/2026
    航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    01/08/2026
    超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012(TopCool)パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車(EV)アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi 60mΩ(標準値)FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ(標準値)FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    11/24/2025
    サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    11/20/2025
    伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
    表示: 1~25/1221