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Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
10/01/2024
熱効率に優れた小型フォームファクタパッケージで、低オン抵抗を実現します。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
08/01/2024
20V NチャネルMOSFETは、RDS (ON)を最小限に抑えるように設計されており、X2-DFN0806-3パッケージで提供されます。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch拡張モードMOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch拡張モードMOSFET
05/01/2024
スイッチング性能を維持し、オン抵抗とゲート閾値電圧が低いです。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
04/01/2024
オン状態抵抗（RDS(ON)）を最小限に抑えるように設計されていると同時に、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMP68D1LVデュアルPチャンネル拡張型MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LVデュアルPチャンネル拡張型MOSFET
01/01/2024
低オン抵抗と低入力容量を実現しつつ、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
03/30/2023
AEC-Q101認定MOSFETで、最小限のオン状態損失を保証する低RDS (ON) が備わっています。
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
03/06/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/24/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/18/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/17/2023
オン状態損失を最小化する低RDS(ON)を備えたAEC-Q101規格に対応するMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
05/11/2022
AEC-Q101認定80V、270A Nチャンネル拡張モードMOSFETで 、PowerDI®1012-8（TOLL）パッケージに収められています。
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iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03/24/2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
03/17/2026
These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
03/13/2026
コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03/10/2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
03/06/2026
Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
03/05/2026
80V、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、PG‑TDSON‑8 パッケージにおいて優れた熱抵抗特性を備えています。
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
02/19/2026
Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
12/23/2025
幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
11/20/2025
伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/20/2025
ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
Toshiba UMOS 11低電圧MOSFET
Toshiba UMOS 11低電圧MOSFET
10/17/2025
コンパクトなパッケージでありながら、高い電力効率と信頼性の高いスイッチング性能を実現するように設計されています。
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