適用されたフィルタ:
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
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Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Guerrilla RF GRFx GaN HEMT Power Transistors
08/18/2025
08/18/2025
Unmatched discrete GaN-on-SiC HEMT power transistors designed for high-performance RF applications.
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
07/01/2025
パッケージはTOLT、TO247、TOLLが選択でき、Gen IV Plus SuperGaN®プラットフォームを使用しています。
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5パワートランジスタ
05/02/2025
05/02/2025
優れた効率性が備わった高周波数で動作するように設計されており、超高速スイッチングを実現しています。
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
04/14/2025
04/14/2025
40V、8.0MΩ双方向GaN HEMTは、コンパクトな1.7mm x 1.7mm WLCSPパッケージに格納されています。
MACOM GaN on SiC Transistors
11/26/2024
11/26/2024
Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.
Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ
11/12/2024
11/12/2024
650Vまでの電力変換に対応する高効率GaNトランジスタ技術を搭載しています。
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
10/01/2024
10/01/2024
40V、4.8mΩ 双方向GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) で、WLCSPパッケージに収められています。
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
07/23/2024
07/23/2024
Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G4パワートランジスタ
05/27/2024
05/27/2024
大電力アプリケーションおよび高効率電力スイッチング向けに低Rth(j-c) で設計されています。
Renesas Electronics TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET
03/15/2024
03/15/2024
50mΩ窒化ガリウム（GaN）ノーマリオフ・デバイス、4リードTO-247パッケージで提供されます。
Renesas Electronics TP65H070G4RS - 650V SuperGaN® FET（TOLTパッケージ仕様）
02/22/2024
02/22/2024
RDS(on) 72mΩ、トップサイド冷却型の表面実装TOLTパッケージを採用し、JEDEC規格（MO-332）に準拠しています。
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