トランジスタのタイプ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段を対象としたNTCが搭載された6パックトポロジが備わっています。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
ハイブリッドと電気自動車のOBCを対象とした統合NTCが搭載されている3相4線式 PFCトポロジが備わっています。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（ダイオード搭載）
12/24/2024
12/24/2024
ハーフブリッジトポロジに2個のIGBTとダイオードが組み合わされています。
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
07/03/2024
07/03/2024
1200V、40A、低損失、低い熱抵抗を実現。TO-247ロング・リード・パッケージで提供。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32パワーモジュール
10/19/2023
10/19/2023
ハイブリッドと電気自動車のDC/DCコンバータ段を対象に設計されています。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 NチャンネルパワーMOSFET
10/01/2023
10/01/2023
MDメッシュK6技術が採用されており、スーパージャンクション技術における20年の経験が活用されています。
STMicroelectronics SH63N65DM6AGパワーMOSFET
08/18/2023
08/18/2023
車載用NチャネルMDmesh DM6ハーフブリッジトポロジでパワーMOSFETを組み合わせており、650Vのブロッキング電圧を提供します。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V Nチャネル STripFET MOSFET
05/08/2023
05/08/2023
このデバイスには、STのSTripFET F8テクノロジーが活用されており、強化されたトレンチ ゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HBシリーズIGBT
03/24/2023
03/24/2023
2つのIGBTとダイオードが特徴で、コンパクトで堅牢な表面実装パッケージに収められています。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6パワーMOSFET
01/25/2023
01/25/2023
ツェナー保護と100%アバランシェが特徴の高電圧NチャンネルパワーMOSFETです。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V NチャンネルパワーMOSFET
10/19/2022
10/19/2022
高電圧NチャンネルパワーMOSFETで、究極のMDmesh K6技術を使用して設計されています。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG NチャンネルパワーMOSFET
06/24/2022
06/24/2022
STripFET F8技術が活用されており、強化されたトレンチゲート構造が特徴です。
STMicroelectronics STL320N4LF8 NチャンネルSTripFET F8パワーMOSFET
06/21/2022
06/21/2022
STripFET F8 trench MOSFET技術を用いて製造されています。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET
05/27/2022
05/27/2022
ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに最適。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9パワーMOSFET
05/25/2022
05/25/2022
領域ごとに非常に低いRDS(on)を特徴とする中/高電圧MOSFETを対象に設計されています。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6パワーMOSFET
05/04/2022
05/04/2022
優れたRDS（on） x領域および低Qg が特徴で、高スイッチング速度と低損失を実現できます。
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IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Comchip Technology AMMBT2907AM PNP Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
10/31/2025
The device has a -60V collector-base voltage rating & a -600mA collector current-continuous rating.
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
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