トランジスタのタイプ
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04/16/2025
04/16/2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET
02/12/2025
02/12/2025
Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.
Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET
02/12/2025
02/12/2025
High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.
Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs
12/30/2024
12/30/2024
Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.
Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1200V トレンチフィールドストップIGBT
11/28/2024
11/28/2024
Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.
Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100V NチャンネルMOSFET
11/25/2024
11/25/2024
Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.
Micro Commercial Components (MCC) 600V NチャンネルスーパージャンクションパワーMOSFET
10/04/2024
10/04/2024
低オン抵抗、低伝導損失、高速逆回復ダイオードによるソフトスイッチングを特長としています。
Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH Nチャンネル スーパージャンクション パワーMOSFET
10/03/2024
10/03/2024
ゲート・ドレイン間の電荷が低いため、伝導損失が低減され全体の効率が向上します。
Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL NチャンネルMOSFET
09/04/2024
09/04/2024
電力損失を小さく抑えつつ良好な熱性能を発揮するように設計された30V、パワーMOSFET。
Micro Commercial Components (MCC) SICWx炭化ケイ素(SIC)MOSFET
09/03/2024
09/03/2024
650V SIC MOSFETは、高速スイッチング機能を備えており、TO-247パッケージで提供されています。
Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1200V SiC NチャンネルMOSFET
09/03/2024
09/03/2024
汎用性の高いTO-247-4、TO-247-4L、TO-247ABパッケージで性能を増幅します。
Micro Commercial Components (MCC) 600V NチャンネルMOSFET
09/03/2024
09/03/2024
スーパージャンクション(SJ)テクノロジーは、低RDS(on) および統合高速リカバリダイオードが特徴です。
Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100V NチャンネルMOSFET
08/28/2024
08/28/2024
高出力スイッチング向けの100V NチャネルMOSFET。
Micro Commercial Components (MCC) MCG50P03B 30V PチャネルMOSFET
08/19/2024
08/19/2024
高信頼性が求められ、スペースに制約があるアプリケーション向け。
Micro Commercial Components (MCC) MCTL150N06YHE3車載グレード60V NチャンネルMOSFET
08/12/2024
08/12/2024
AEC-Q101の認定を取得しており、車載アプリケーションでの電力効率と信頼性を再定義するように設計されています。
Micro Commercial Components (MCC) Automotive Front & Rear LED Lighting Solutions
08/01/2024
08/01/2024
These lighting systems improve driver visibility, passenger safety, and vehicle styling.
Micro Commercial Components (MCC) Auto Seat Control Solutions
08/01/2024
08/01/2024
Delivers the compact, efficient & robust performance needed to power modern vehicle seating systems.
Micro Commercial Components (MCC) Electric Power Steering (EPS) Solutions
08/01/2024
08/01/2024
Support today’s vehicle systems with components engineered for precise control, safety, and comfort.
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions
08/01/2024
08/01/2024
Supports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.
Micro Commercial Components (MCC) Battery Management System (BMS)
08/01/2024
08/01/2024
Delivers the precision, safety, and efficiency required to support today’s electric vehicles (EVs).
Micro Commercial Components (MCC) MCACx 30V-60V ロジックレベルNチャネルMOSFET
07/11/2024
07/11/2024
分割ゲートトレンチ(SGT)MOSFETテクノロジーを搭載し、DFN5060パッケージで提供されます。
Micro Commercial Components (MCC) MCACLS N-Channel Dual-Side Cooling MOSFETs
06/24/2024
06/24/2024
Feature superior thermal performance with 40V drain-source voltage and are AEC-Q101 qualified.
Micro Commercial Components (MCC) 100V 7.5mΩ N-Channel MOSFETs
06/04/2024
06/04/2024
Offers split-gate trench (SGT) technology, 100V capacity, and an on-resistance of only 7.5mΩ.
Micro Commercial Components (MCC) MCB2D & MCU2D 40V N-channel MOSFETs
05/31/2024
05/31/2024
High-density cell design with 2.8mΩ low on-resistance ensures efficient automotive power management.
Micro Commercial Components (MCC) MCB70N15YHE3 AEC-Q101 Qualified N-Channel MOSFET
05/22/2024
05/22/2024
AEC-Q101 qualified N-channel MOSFET that utilizes split gate trench MOSFET technology.
表示: 1~25/61
TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules
02/05/2026
02/05/2026
High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.
IXYS X4-Class Power MOSFETs
02/02/2026
02/02/2026
Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
01/20/2026
15W(P3dB)、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
01/19/2026
7W(P3dB)、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム(GaN)炭化ケイ素(SiC)HEMTで30MHz~1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz~1400MHzで動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012(TopCool)パッケージを採用しています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
12/19/2025
電気自動車(EV)アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
表示: 1~25/650
