Microchip 最新のトランジスタRF

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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12/01/2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia SOT323表面実装パッケージ製品
Nexperia SOT323表面実装パッケージ製品
07/26/2022
プラスチック、3リード、1.3mmピッチ、2mm x 1.25mm x 0.95mmボディ表面実装パッケージになっています。
Nexperia SOT23表面実装パッケージ製品
Nexperia SOT23表面実装パッケージ製品
07/26/2022
プラスチック、表面実装、3つの端子、1.9mmピッチ、2.9mm x 1.3mm x 1mmパッケージに収められています。
Qorvo QPD2060D 600µmディスクリートGaAs pHEMT
Qorvo QPD2060D 600µmディスクリートGaAs pHEMT
04/19/2022
P1dBで28dBmの出力電力、12dBゲイン、1dBで55%の電力付加効率を実現しています。
Qorvo QPD2120D 1200µmディスクリートGaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200µmディスクリートGaAs pHEMT
04/19/2022
P1dBで31dBmの出力電力、11.5dBゲイン、1dBで57%の電力付加効率を実現しています。
Qorvo QPD2160D 1600µm ディスクリートGaAs pHEMT
Qorvo QPD2160D 1600µm ディスクリートGaAs pHEMT
04/19/2022
P1dBで32.5dBmの出力電力、10.4dBゲイン、1dBで63%の電力付加効率を実現しています。
Qorvo QPD2080D 800µm ディスクリートGaAs pHEMT
Qorvo QPD2080D 800µm ディスクリートGaAs pHEMT
04/19/2022
P1dBで29.5dBmの出力電力、11.5dBゲイン、1dBで56%の電力付加効率を実現しています。
Qorvo QPD2018D 180umディスクリートGaAs pHEMTダイ
Qorvo QPD2018D 180umディスクリートGaAs pHEMTダイ
02/14/2022
Qorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスが活用されています。
Qorvo QPD2025D 250umディスクリートGaAs pHEMTダイ
Qorvo QPD2025D 250umディスクリートGaAs pHEMTダイ
02/14/2022
Qorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスを使用して開発されています。
Qorvo QPD2040D 400umディスクリートGaAs pHEMTダイ
Qorvo QPD2040D 400umディスクリートGaAs pHEMTダイ
02/14/2022
Qorvoの実証された標準0.25umパワーpHEMT生産プロセスを使用して設計されています。
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