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Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
Nexperia MLPAK33-WFパッケージのBUK7Q NチャネルMOSFET
09/29/2025
トレンチ型 9技術を採用し、AEC-Q101要件に適合しています。
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
Nexperia BUK9Q NチャネルトレンチMOSFET
09/09/2025
ロジックレベル互換性、高速スイッチング対応の、175°CでAEC-Q101に完全に適合した自動車向け製品です。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル  FET。
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
08/26/2025
CFP15Bパッケージは、MJDシリーズに代わるコンパクトで費用対効果の高い製品で、DPAKパッケージに収められています。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ内の30V PチャネルFET。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。 
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8100V GaN FET
07/03/2025
優れた性能と非常に低いオン抵抗を実現するノーマリーオフのeモードデバイスです。
Nexperia ES3D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES3D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
200V、3Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1003-1 SMCパッケージに封入されています。
Nexperia ES1D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
高い順方向サージ耐性を備えた200V、1A 整流器で、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia ES2D超高速リカバリ整流器
Nexperia ES2D超高速リカバリ整流器
05/07/2025
高い順方向サージ耐性を備えた200V、2Aの整流器で、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia ES1J超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1J超高速リカバリ整流器
05/02/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia ES1B超高速リカバリ整流器
Nexperia ES1B超高速リカバリ整流器
05/02/2025
これは、100V、1Aの整流器で、高順方向サージ耐性を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia FR2M高速リカバリ整流器
Nexperia FR2M高速リカバリ整流器
04/28/2025
高順方向サージ能力が備わっている1,000V、2A整流器で、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia GS8Mリカバリ整流器
Nexperia GS8Mリカバリ整流器
04/28/2025
1000V・8Aの整流器で、高順方向サージ耐量を備え、SOD1003-1（SMC）パッケージに封入されています。
Nexperia US1J超高速リカバリ整流器
Nexperia US1J超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備えており、SOD1001-1 SMAパッケージにパッケージ化されています。
Nexperia MURS160A超高速リカバリ整流器
Nexperia MURS160A超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia FR2JA高速リカバリ整流器
Nexperia FR2JA高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V・2A対応の整流器で、高順方向サージ耐量を備えたSOD1001-1（SMA）パッケージに封止されています。
Nexperia MURS160B超高速リカバリ整流器
Nexperia MURS160B超高速リカバリ整流器
04/28/2025
600V、1A対応の整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1002-1（SMB）パッケージにカプセル化されています。
Nexperia US3M超高速リカバリ整流器
Nexperia US3M超高速リカバリ整流器
04/28/2025
高順方向サージ能力が備わっている1,000V、3A整流器で、SOD1003-1 SMCパッケージにカプセル化されています。
Nexperia GS1Mリカバリ整流
Nexperia GS1Mリカバリ整流
04/28/2025
これは、1000V、1Aの整流器で、高順方向サージ耐性を備え、SOD1001-1 SMAパッケージに封入されています。
Nexperia GS5MBリカバリ整流器
Nexperia GS5MBリカバリ整流器
04/28/2025
1000V、5Aの整流器で、高順方向サージ能力を備え、SOD1002-1 SMBパッケージに封入されています。
Nexperia US1M超高速リカバリ整流器
Nexperia US1M超高速リカバリ整流器
04/28/2025
1000V、1Aに対応し、高順方向サージ能力を備えた整流器で、SOD1001-1（SMA）パッケージにカプセル化されています。
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    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    01/13/2026
    航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    01/08/2026
    超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    11/24/2025
    サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
    onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
    11/20/2025
    ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
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