Ampleon 最新のトランジスタ

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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor
07/23/2024
Designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range.
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Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
02/05/2026
従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
12/23/2025
幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
11/20/2025
伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/20/2025
ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
導通損失とスイッチング損失が低い高輝度性能指数が備わっています。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
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