Texas Instruments 最新の個別半導体

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Texas Instruments TSDx-Q1単方向TVSダイオード
Texas Instruments TSDx-Q1単方向TVSダイオード
10/10/2025
車載アプリケーションで、ESDやサージなどの有害な過渡電圧をクランプするように設計されています。
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1 コモン・アノード・ツェナー・ダイオード
Texas Instruments MMBZxxVAL-Q1 コモン・アノード・ツェナー・ダイオード
08/21/2025
共通アノード構成の2チャネル単方向または1チャネル双方向ESD。
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments MMBZ30VCL/MMBZ30VCL-Q1 ESD保護ダイオード
03/18/2025
デュアルチャンネル単方向またはシングルチャンネル双方向ESDで、共通カソード構成になっています。
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1低容量ESDダイオード
Texas Instruments ESD501/ESD501-Q1低容量ESDダイオード
03/18/2025
業界標準0402パッケージで販売されており、15kVのIEC 61000-4-2保護レベルを実現しています。
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1ツェナー電圧レギュレータダイオード
Texas Instruments BZX84Cx/BZX84Cx-Q1ツェナー電圧レギュレータダイオード
03/11/2025
これらのデバイスは、250mW（最大）の総消費電力と ±5%の許容誤差を提供します。
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD701/ESD701-Q1 ESD保護ダイオード
01/29/2025
業界標準0402パッケージは、15kVのIEC 61000-4-2保護レベルを実現しています。
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD801/ESD801-Q1 ESD保護ダイオード
01/29/2025
業界標準0402パッケージ＆は、15kVのIEC 61000-4-2保護レベルを実現しています。
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双方向TVSダイオード
Texas Instruments TSDxxC/TSDxxC-Q1双方向TVSダイオード
12/23/2024
これらのデバイスは、ESDやサージといった有害な過渡をクランプするように設計されています。
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD601/ESD601-Q1 ESD保護ダイオード
11/05/2024
業界標準0402パッケージでご用意があり、15kVのIEC 61000-4-2保護レベルを実現しています。
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保護ダイオード
11/05/2024
ESDやサージなどの有害な過渡電圧をクランプする設計を採用。
Texas Instruments TSM36CA 36V双方向TVS保護ダイオード
Texas Instruments TSM36CA 36V双方向TVS保護ダイオード
09/17/2024
このデバイスは、ESDやサージなどの有害な過渡現象をクランプするよう設計されています。
Texas Instruments ESDS452／ESDS452-Q1双方向ESDおよびTVSダイオード
Texas Instruments ESDS452／ESDS452-Q1双方向ESDおよびTVSダイオード
06/17/2024
IEC 61000-4-2で規定されている最大レベルを超えるESD衝撃を消散させるように定格されています。
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD652/ESD652-Q1 ESD保護ダイオード
05/07/2024
2チャネル、双方向のダイオード。小型のリード付きSOT-23 (DBZ) パッケージで供給。
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD2CANx-Q1 ESD保護ダイオード
05/06/2024
車載用、コントローラ・エリア・ネットワーク（CAN）インターフェース保護用2チャンネル双方向ダイオード。
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD562/ESD562-Q1 ESD保護ダイオード
04/23/2024
IEC 61000-4-2 規格で規定されている最大レベルを超えたESDストライクの散逸を想定しています。
Texas Instruments ESDS552双方向ESD／サージ保護ダイオード
Texas Instruments ESDS552双方向ESD／サージ保護ダイオード
04/23/2024
IEC 61000-4-2標準で規定された最大レベルを超えるESDストライクを消散させる定格を備えています。
Texas Instruments TSM24B単方向型サージ保護ダイオード
Texas Instruments TSM24B単方向型サージ保護ダイオード
12/19/2023
このデバイスは、最大20AのIEC 61000-4-5障害電流を堅牢にシャントします。
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q124V単方向 TVS ダイオード
Texas Instruments TSM24A/TSM24A-Q124V単方向 TVS ダイオード
11/13/2023
高電力過渡現象や落雷から保護するために、最大60AのIEC 61000-4-5故障電流を保護します。
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q124V双方向 TVS ダイオード
Texas Instruments TSM24CA/TSM24CA-Q124V双方向 TVS ダイオード
11/13/2023
落雷や高電力過渡現象から保護するために、最大30AのIEC 61000-4-5故障電流を保護します。
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36Cサージ保護デバイス
Texas Instruments TSD05/TSD05C/TSD36Cサージ保護デバイス
09/19/2023
これらのデバイスは、ESDやサージなどの有害な過渡現象をクランプするように設計されています。
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD保護デバイス
Texas Instruments ESD441 ±30kV ESD保護デバイス
08/10/2023
データ線およびその他のI/Oポートの保護を目的とした単方向ESD保護ダイオードです。
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD451 ±30kV ESD保護ダイオード
08/10/2023
データ線およびその他のI/Oポートの保護を目的とした双方向ESD保護ダイオードです。
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD1LIN24/ESD1LIN24-Q1 ESD保護ダイオード
02/09/2023
ローカル相互接続ネットワーク（LIN）用の1チャネル、低容量、双方向のESD保護デバイスです。
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8チャネル・ダーリントン・アレイ
Texas Instruments ULN2803C 50V 500mA 8チャネル・ダーリントン・アレイ
02/06/2023
高電圧出力が特徴で、誘導負荷のスイッチングのための共通カソードクランプダイオードが備わっています。
Texas Instruments ESD751/Q1 & ESD761/Q1 ESD保護ダイオード
Texas Instruments ESD751/Q1 & ESD761/Q1 ESD保護ダイオード
02/02/2023
USB電源供給（USB-PD）用のシングルチャンネル低容量双方向ESD保護デバイスです。
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    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp zener voltage breakdown and a low leakage current.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    Littelfuse SM15KPA-HRA & SM30KPA-HRA 高信頼性ダイオード
    01/13/2026
    航空機、航空宇宙、およびeVTOLアプリケーションのI/Oインターフェイス、VCCバス、その他回路を保護。
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    Littelfuse SP432x-01WTG TVSダイオード
    01/08/2026
    超低キャパシタンス、双方向、高レベルの保護を提供。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
    12/19/2025
    コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
    12/19/2025
    電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
    12/04/2025
    効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
    12/04/2025
    低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
    12/01/2025
    DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
    11/25/2025
    PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    Bourns SMLJ-R過渡電圧サプレッサダイオード
    11/24/2025
    サージおよびESD保護用に設計されており、小型チップパッケージのDO-214AB(SMC)のサイズとなっています。
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    Diotec Semiconductor LDP02-26CAYD2-AQ SMD TVS Diode
    11/24/2025
    Offers 6600 W peak power, fast response, and ISO-16750-2 load-dump test compliance.
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
    11/20/2025
    伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
    表示: 1～25/1221