最新のトランジスタ

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

トランジスタのタイプ

リスト画像

適用されたフィルタ:

製造元 = Infineon 現在の絞り込みを変更するには、製品タブに戻ってください。

最新製品を検索しましたが、何も見つかりませんでした。
フィルタを変更して再試行してください。

フィルタリング基準:

onsemi NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

03/13/2026

- Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03/10/2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

03/09/2026

- Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03/06/2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET

03/05/2026

- 80V、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、PG‑TDSON‑8 パッケージにおいて優れた熱抵抗特性を備えています。

EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

03/05/2026

- Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs

02/26/2026

- Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.

Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

02/26/2026

- Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02/19/2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール

02/05/2026

- 従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。

IXYS X4-ClassパワーMOSFET

02/02/2026

- 低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。

Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ

01/20/2026

- 15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ

01/19/2026

- 7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。

Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合

01/19/2026

- 25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。

onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET

12/26/2025

- このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET

12/23/2025

- 幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。

Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET

12/19/2025

- 電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。

onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET

12/19/2025

- コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。

STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ

12/04/2025

- 効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。

表示: 1～25/646

トランジスタのタイプ

フィルタリング基準:

カスタマーサービスオフィス

企業名

リソース

サポート