個別半導体のタイプ
カテゴリービューの変更
適用されたフィルタ:
製造元 = IXYS 現在の絞り込みを変更するには、製品タブに戻ってください。

IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
01/20/2026
600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器
04/14/2025
ガラス不動態化接合部が特徴で、安定した動作と高い信頼性が保証されます。
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード
04/03/2025
高周波動作および高サージ電流対応を特長としています。
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール
03/25/2025
平面不動態化チップと統合された140Aダイオードモジュールで、長期安定性が備わっています。
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。
IXYS DPF100C1200HB 1,200V、2x 50A高速リカバリダイオード
IXYS DPF100C1200HB 1,200V、2x 50A高速リカバリダイオード
11/22/2024
2つの汎用パワースイッチングダイオードで、コモンカソード構成になっており、TO-247パッケージに収められています。
IXYS 第5世代XPT IGBT
IXYS 第5世代XPT IGBT
07/25/2024
650Vの定格電圧、35A～220Aの電流範囲、低ゲート電荷が備わっています。 
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相ブリッジ整流器
IXYS DPF30U200FC 200V 30A 3相ブリッジ整流器
07/22/2024
このデバイスは、一般的にスイッチモード電源(SMPS) での整流器として使用されます。
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A高速リカバリダイオード
IXYS DSEP60-06AZ 600V 60A高速リカバリダイオード
07/08/2024
高性能、低損失、ソフトリカバリシングルダイオードで、TO-268AA（D3PAK-HV）パッケージに収められています。
IXYS SRU6008DS2RP高感度SCR
IXYS SRU6008DS2RP高感度SCR
02/19/2024
600V高順方向阻止SCRで、高電圧コンデンサ放電アプリケーションに最適です。
IXYS MPA 95-06DA FREDモジュール
IXYS MPA 95-06DA FREDモジュール
01/18/2024
平面不動態化チップと低スイッチング損失が特徴で、高周波スイッチングデバイスを対象としています。
IXYS MCMA140P1600TA-NIサイリスタモジュール
IXYS MCMA140P1600TA-NIサイリスタモジュール
01/18/2024
平面不動態化チップおよびライン周波数用の直接銅結合AI2O3セラミックが特徴です。
IXYS DMA80I1600HAシングルダイオード整流器
IXYS DMA80I1600HAシングルダイオード整流器
08/11/2022
平面不動態化チップ、低リーク電流、および低順電圧降下が特徴です。
IXYS STP802U2SRP 1.5A高感度デュアルSCR
IXYS STP802U2SRP 1.5A高感度デュアルSCR
08/10/2022
低ターンオフ（tq）時間と1.5ARMS on状態電流が備わっている高静的dv/dtです。
表示: 1～25/27

    Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
    Diotec Semiconductor BAT54WT Schottky Diode
    03/03/2026
    Designed for high-speed switching, low junction capacitance, and low leakage current.
    Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
    Diotec Semiconductor SB1100 Schottky Diode
    03/03/2026
    Offer low voltage forward drop making it suitable for output rectification and polarity protection.
    Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
    Diotec Semiconductor SL1MR13 Standard Recovery Rectifier
    03/03/2026
    Features 1000V repetitive peak reverse voltage and 1A maximum average forward rectified current.
    Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
    Diotec Semiconductor GBI40M-T Single Phase Bridge Rectifier
    03/03/2026
    Equipped with four diodes in a bridge configuration and protected against reverse assembly.
    Vishay 3KDFN12CA thru 3KDFN100CA TVS Diodes
    Vishay 3KDFN12CA thru 3KDFN100CA TVS Diodes
    03/02/2026
    Transzorb® TVS diodes, designed to protect sensitive electronics from voltage spikes.
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    02/26/2026
    Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保護ダイオード
    Littelfuse SC3402-02ETG ESD保護ダイオード
    02/23/2026
    超低静電容量ESD保護ダイオードで、高速データインターフェイスを保護するように設計されています。
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode
    02/19/2026
    Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1ライン53V EOS保護IC
    Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1ライン53V EOS保護IC
    02/18/2026
    優れた温度、クランプ特性を備えた高エネルギーEOS保護を提供します。
    Vishay SE45124/SE50124 高耐圧SMD整流器
    Vishay SE45124/SE50124 高耐圧SMD整流器
    02/17/2026
    優れた放熱性と高いサージ電流耐性。
    Vishay KBPE0480 SIP (Single In-Line) ブリッジ整流器
    Vishay KBPE0480 SIP (Single In-Line) ブリッジ整流器
    02/16/2026
    低い順方向電圧降下特性。KBPパッケージ。
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    Vishay SE050N6/SE080N6/SE100N6/SE120N6 SMD整流器
    02/10/2026
    標準高さ0.88mmの低プロファイルパッケージで供給。
    Littelfuse CMA160E1600HF シングル サイリスタ
    Littelfuse CMA160E1600HF シングル サイリスタ
    02/06/2026
    平面パッシベーションチップ構造の高性能 160A、1600Vデバイスで、PLUS247パッケージに収められています。
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
    02/05/2026
    従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Designed for demanding power conversion applications
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
    02/03/2026
    Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
    02/03/2026
    Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    Vishay パワー シリコンカーバイド(SiC) ショットキーダイオード
    02/03/2026
    要求が厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションで極めて高い効率、優れた耐久性、信頼性を提供し。
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    Diotec Semiconductor BZX84B3V6 SMD Planar Zener Diode
    02/03/2026
    Offers a sharp Zener voltage breakdown and a low leakage current.
    IXYS X4-ClassパワーMOSFET
    IXYS X4-ClassパワーMOSFET
    02/02/2026
    低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード
    01/20/2026
    600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    表示: 1～25/1211