onsemi 最新のトランジスタ

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onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
03/13/2026
コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
11/20/2025
伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/20/2025
ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
導通損失とスイッチング損失が低い高輝度性能指数が備わっています。
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。
onsemi NVNJWS200N031LシングルNチャネルパワーMOSFET
onsemi NVNJWS200N031LシングルNチャネルパワーMOSFET
10/14/2025
本デバイスは、低い RDS（on）と低いゲートしきい値を備えており、ウェッタブルフランク付きで提供されます。
onsemi NTK3139P シングルPチャネル Power MOSFET
onsemi NTK3139P シングルPチャネル Power MOSFET
10/14/2025
SC-89パッケージに比べて44%小型フットプリントおよび38%薄型のパッケージで提供。
onsemi AFGBG70T65SQDC Nチャネル、フィールド・ストップ第4世代IGBT
onsemi AFGBG70T65SQDC Nチャネル、フィールド・ストップ第4世代IGBT
10/13/2025
本デバイスは、伝導損失およびスイッチング損失の両方が低く、最適な性能を発揮します。
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD Nチャネル、フィールド・ストップ第7世代IGBT
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD Nチャネル、フィールド・ストップ第7世代IGBT
10/13/2025
このデバイスは、低オン状態電圧および低スイッチング損失により、優れた性能を発揮します。
onsemi 低電圧から中電圧のT10 MOSFET
onsemi 低電圧から中電圧のT10 MOSFET
10/06/2025
40Vと80Vのカテゴリに分類されるシングルNチャネルPower MOSFET。性能の改善、システム効率の向上を実現。 
onsemi NSBAMXW PNPバイアス抵抗器トランジスタ
onsemi NSBAMXW PNPバイアス抵抗器トランジスタ
09/09/2025
単一のデバイスと関連する外部抵抗器バイアスネットワークの置き換えとして設計されています。
onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NTK3134N シングルNチャンネルパワーMOSFET
09/08/2025
堅牢な20V、890mA NチャンネルパワーMOSFETで、高効率なスイッチングアプリケーション向けに最適化されています。
onsemi NSBCMXW NPNバイアス抵抗器トランジスタ
onsemi NSBCMXW NPNバイアス抵抗器トランジスタ
09/08/2025
単一のデバイスと関連する外部抵抗器バイアスネットワークの置き換えとして設計されています。
onsemi NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFET
onsemi NxJS3151P シングルPチャンネルパワーMOSFET
09/04/2025
電力密度と信頼性が重要となる、スペースに制約のある設計に最適です。
onsemi NXH600N10x 3レベル NPCインバータモジュール
onsemi NXH600N10x 3レベル NPCインバータモジュール
08/25/2025
I タイプ中性点クランプ3レベルインバータを搭載するF5BP パワーモジュールです。
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
08/08/2025
優れた効率性、高速スイッチング、堅牢な熱性能を発揮します。
onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
06/23/2025
優れた熱性能と低RDS(on)を発揮し、コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに収められています。
onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
06/09/2025
低RDS (on)  値と高速スイッチング特性が特徴で、省スペースDFN-8パッケージに収められています。
onsemi NXH015F120M3F1PTGシリコンカーバイド（SiC）モジュール
onsemi NXH015F120M3F1PTGシリコンカーバイド（SiC）モジュール
05/23/2025
15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET（フルブリッジ）とサーミスタが特長。Al2O3 DBC基板を採用し、F1パッケージで提供。
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    Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
    Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs
    03/17/2026
    These are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [RDS(ON)].
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
    ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules
    03/17/2026
    Features 1200V rated voltage in 41.6mm × 52.5mm package and integrates 4th Generation SiC MOSFETs.
    Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
    Infineon Technologies Medium-Voltage CoolGaN™ Bidirectional Switches
    03/17/2026
    These devices are a great fit for serving as battery disconnect switches in various applications.
    onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
    onsemi NVMFD5873NL デュアルNチャネル、パワーMOSFET
    03/13/2026
    コンパクトで効率的なデザインを目的として設計され、高い熱性能を備える。
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
    03/10/2026
    Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
    Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
    Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
    03/09/2026
    1.0GHz～1.5GHzの周波数帯域で動作する、要求の厳しいLバンドアプリケーション用に設計されています。
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET
    03/06/2026
    Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
    03/05/2026
    80V、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、PG‑TDSON‑8 パッケージにおいて優れた熱抵抗特性を備えています。
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
    03/05/2026
    Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
    02/26/2026
    Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
    02/26/2026
    Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs
    02/19/2026
    Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
    TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
    02/05/2026
    従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。
    IXYS X4-ClassパワーMOSFET
    IXYS X4-ClassパワーMOSFET
    02/02/2026
    低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
    01/20/2026
    15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
    01/19/2026
    25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
    01/19/2026
    7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
    12/26/2025
    このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
    12/23/2025
    幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
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