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IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFET
10/08/2025
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET
02/27/2025
650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET
11/28/2024
電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。
IXYS 第5世代XPT IGBT
IXYS 第5世代XPT IGBT
07/25/2024
650Vの定格電圧、35A～220Aの電流範囲、低ゲート電荷が備わっています。 
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Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies NチャンネルOptiMOS™ 7 80VパワーMOSFET
03/05/2026
80V、N チャネルのノーマルレベルデバイスで、PG‑TDSON‑8 パッケージにおいて優れた熱抵抗特性を備えています。
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
EPC EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor
03/05/2026
Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs
02/26/2026
Enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems.
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Designed to block voltage in both directions using unique substrate clamp technology.
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
Navitas Semiconductor NV6427 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches
02/26/2026
Switches are designed to block voltage in both directions, with unique substrate-clamp technology.
TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
02/05/2026
従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
12/23/2025
幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
11/20/2025
伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/20/2025
ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
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