STMicroelectronics 最新のSiC MOSFET

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Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™1400VSiC G2 MOSFET
10/09/2025
熱性能の改善、電力密度の向上、さらに高い信頼性を実現。
Microchip Technology 1200V SIC MOSFET
Microchip Technology 1200V SIC MOSFET
09/25/2025
MOSFETは、さらに高速なスイッチングを実現する、より高効率で軽量、コンパクトなソリューション。
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFET
09/19/2025
これらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET
08/27/2025
最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC HブリッジパワーMOSFET
08/08/2025
優れた効率性、高速スイッチング、堅牢な熱性能を発揮します。
ROHM Semiconductor SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFET
ROHM Semiconductor SCT40xKWA Nch SiCパワーMOSFET
07/14/2025
VDS 1200V、低オン抵抗、高速スイッチングスピード、高速リカバリーが特長。
Littelfuse IXSJxN120R1 1200V SiCパワーMOSFET
Littelfuse IXSJxN120R1 1200V SiCパワーMOSFET
06/23/2025
要求の厳しい電力変換アプリケーション用に設計された高性能デバイスです。
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2シリコンカーバイドMOSFET
06/03/2025
車載用・産業用認定済みのMOSFET。最大ドレイン・ソース間オン抵抗78mΩ。
onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ @ 20V最高RDS (ON) 、1700Vドレイン-ソース間電圧が特徴です。
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed 1,700VシリコンカーバイドMOSFET
Wolfspeed 1,700VシリコンカーバイドMOSFET
04/17/2025
次世代の電力変換に対応する、より高いスイッチング、システム効率、電力密度を実現します。
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
03/06/2025
1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。
onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NTBL032N065M3S炭化ケイ素（SIC）MOSFET
02/20/2025
高速スイッチングアプリケーション用に設計され、信頼性の高い性能を提供します。
onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
onsemi NVH4L050N170M1炭化ケイ素（SIC）MOSFET
02/20/2025
VGS = 20Vで標準RDS（on）が53mΩ の優れた性能を発揮します。
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
02/18/2025
工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02/18/2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス
SemiQ GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス
01/02/2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09/06/2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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