STDRIVEG612QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG612QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG612QTR
Price: 774 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

511-STDRIVEG612QTR

メーカ番号：

STDRIVEG612QTR

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
製品:	Gate Driver
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	3 Output
出力電流:	1.8 A
供給電圧 - 最小:	10.3 V
供給電圧 - 最大:	18 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	22 ns
下降時間:	13 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	STMicroelectronics
最長電源切断遅延時間:	65 ns
最長電源投入遅延時間:	65 ns
出力電圧:	520 V
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	65 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	6.8 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN
トレードネーム:	STDRIVE

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STDRIVEG612 600V ハーフブリッジゲートドライバ

STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) STDRIVEG612 600V 高速ハーフブリッジゲートドライバは、5V駆動のエンハンスメントモードGaN HEMTを駆動するために最適化されています。ハイサイドのドライバセクションは、最大600Vの電圧レールをサポートするように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に給電できます。大電流駆動能力、短い伝搬遅延と優れた遅延整合性、および内蔵LDOにより、STDRIVEG612は高速GaNの駆動に最適です。