Toshiba RFバイポーラトランジスタ

結果: 3
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル シリーズ トランジスタ タイプ 技術 トランジスタ極性 動作周波数 DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 エミッタ - ベース電圧 VEBO 連続コレクタ電流 最低動作温度 最高動作温度 構成 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Toshiba RFバイポーラトランジスタ RF Bipolar Transistor .1A 900mW 2,149在庫
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MT3S113TU Bipolar SiGe NPN 11.2 GHz 200 5.3 V 600 mV 100 mA + 150 C Single SMD/SMT UFM-3 Reel, Cut Tape
Toshiba RFバイポーラトランジスタ Radio-frequency Bipolar Transistor 2,865在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

2SC5108 Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba RFバイポーラトランジスタ RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB 867在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

2SC5087 Bipolar Si NPN 8 GHz 120 12 V 3 V 80 mA - 55 C + 125 C Single SMD/SMT SMQ-4 Reel, Cut Tape, MouseReel