STMicroelectronics SiC MOSFET

結果: 11
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
データシート
714在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 91 A 21 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 150 nC - 55 C + 200 C 547 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
データシート
47在庫
600予想2026/04/20
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 200 C 390 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
データシート
592在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
データシート
510在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
データシート
571在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H
データシート
317在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 69 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 162 nC - 55 C + 200 C 420 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package
データシート
111在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
データシート
844予想2026/11/23
最低： 1
複数： 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247
データシート
69予想2026/03/16
最低： 1
複数： 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 119 A 24 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 157 nC - 55 C + 200 C 565 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A
データシート
非在庫リードタイム 17 週間
最低： 600
複数： 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 76 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
データシート
在庫なし
最低： 600
複数： 600

Through Hole HiP247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms -10 V, 22 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement