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STMicroelectronics SiC MOSFET

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結果: 9

適用されたフィルタ:

ブランド = STMicroelectronics 画像タブ選択

取り付け様式

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

チャンネル数

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

最高動作温度

Pd - 電力損失

チャネルモード

認証

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取り扱い中

新製品

RoHS対応品

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部品番号

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,320
640在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT012W90G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT012W90G3-4AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

640在庫

¥3,320

¥2,830.4

¥2,448

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: ¥2,888
502在庫
新製品

メーカ部品番号
SCT025W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

502在庫

¥2,888

¥2,312

¥1,998.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: ¥3,876.8
600予想2026/07/27

メーカ部品番号
SCT015W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

600予想2026/07/27

¥3,876.8

¥3,172.8

¥2,801.6

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: ¥1,820.8
100取寄中
新製品

メーカ部品番号
SCT040W120G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT040W120G3-4

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

100取寄中

¥1,820.8

¥1,483.2

¥1,235.2

¥1,100.8

¥934.4

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

SCT019W120G3-4AG
STMicroelectronics
600: ¥2,054.4
非在庫リードタイム 17 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT019W120G3-4AG

Mouser 部品番号
511-SCT019W120G3-4AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package

データシート

非在庫リードタイム 17 週間

¥2,054.4

最低： 600
複数： 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

90 A

26 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

120 nC

- 55 C

+ 200 C

486 W

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
600: ¥1,876.8
非在庫リードタイム 17 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT025W120G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT025W120G3-4

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

データシート

非在庫リードタイム 17 週間

¥1,876.8

最低： 600
複数： 600

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1: ¥1,748.8
非在庫リードタイム 17 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT070W120G3-4

Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3-4

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet について

データシート

非在庫リードタイム 17 週間

¥1,748.8

¥1,044.8

¥889.6

¥828.8

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

SCT070W120G3AG
STMicroelectronics
600: ¥1,174.4
非在庫リードタイム 17 週間
新製品

メーカ部品番号
SCT070W120G3AG

Mouser 部品番号
511-SCT070W120G3AG

新製品

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A

STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets について

データシート

非在庫リードタイム 17 週間

¥1,174.4

¥996.8

最低： 600
複数： 600

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: ¥2,886.4
非在庫リードタイム 32 週間
NRND

メーカ部品番号
SCTWA40N120G2V

Mouser 部品番号
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

STMicroelectronics stm automotive grade mosfets について

データシート

非在庫リードタイム 32 週間

¥2,886.4

¥2,198.4

¥1,848

最低： 1
複数： 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC MOSFET

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