STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 704 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STP65N150M9

メーカ番号：

STP65N150M9

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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データシート:

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	¥252.8	¥252,800
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	20 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	150 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 30 V, 30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.2 V
Qg - ゲート電荷:	32 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	140 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
組立国:	Not Available
拡散国:	Not Available
原産国:	CN
下降時間:	10 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	MDmesh M9
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	12 ns
単位重量:	2 g

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USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STP65N150M9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9パワーMOSFETは、スーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいています。このデバイスは、領域あたりの非常_{に低いR DS(on)}が特徴である中/高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9技術は、マルチドレイン製造プロセスによるメリットを享受しており、強化されたデバイス構造が可能になります。この結果としてもたらされる製品は、あらゆるシリコンベースの高速スイッチング・スーパージャンクション・パワーMOSFETの中でもオン抵抗が最低レベルでゲート電荷値が低い製品の1つです。これによって、優れた電力密度と際立った効率性を必要とするアプリケーションに最適です。

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。