STW65N023M9-4

STMicroelectronics
511-STW65N023M9-4
STW65N023M9-4

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,724.8 ¥2,725
¥1,736 ¥17,360
¥1,734.4 ¥208,128
¥1,577.6 ¥1,609,152

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
95 A
23 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
230 nC
- 55 C
+ 150 C
463 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: MDmesh M9
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 6.080 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

SPICE Models

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JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

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