STMicroelectronics MOSFET

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 589在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 185在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 126在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 600
複数: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 59 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 600
複数: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube