STY50N105DK5

STMicroelectronics
511-STY50N105DK5
STY50N105DK5

メーカ：

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MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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合計 額:
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥3,720 ¥3,720
¥3,076.8 ¥30,768

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
Max247-3
N-Channel
1 Channel
1.05 kV
44 A
100 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
175 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: STY50N105DK5
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
単位重量: 5 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

データシート

PCN

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh DK5 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETは、非常に高電圧の高速リカバリダイオードで、950～1050V絶縁破壊電圧が備わっています。DK5には、最低45nCの非常に低いゲート電荷と、250ns（typ.）の逆回復時間（trr）があります。これによって、MDmesh DK5は、高電力アプリケーションのZVS LLC共振コンバータに最適です。これらのアプリケーションには、産業用溶接機、プラズマジェネレータ、高周波誘導融解/暖房、X線装置があります。また、MDmesh DK5 MOSFETシリーズは、0.12Ωの低オン抵抗（RDS(on)）（VGS = 10V、ID = 23A）と優れた耐久性があり、ハードスイッチングトポロジにも最適です。DK5は、ロングリードTO-247およびISOTOPパッケージを始めとする幅広いスルーホールおよびSMDパワーパッケージでご用意があります。
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SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、 オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、 改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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