JDV2S41AFS,L3M
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製品仕様をご覧ください
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757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
メーカ：
詳細：
バラクタダイオード Variable capacitance diode for electronic tuning applications
バラクタダイオード Variable capacitance diode for electronic tuning applications
ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
在庫状況
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在庫：
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取寄中:
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3,236予想2026/09/2210,000予想2026/11/20
-
工場リードタイム：
-
18週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
価格 (JPY)
| 数量 | ユニット価格 |
合計 額
|
|---|---|---|
| ¥290.7 | ¥291 | |
| ¥179.4 | ¥1,794 | |
| ¥118.8 | ¥11,880 | |
| ¥93.3 | ¥46,650 | |
| ¥79.7 | ¥79,700 | |
| ¥72.3 | ¥180,750 | |
| ¥64.1 | ¥320,500 | |
| ¥62 | ¥620,000 | |
| ¥60.5 | ¥1,512,500 |
データシート
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
コンプライアンスコード
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
原産地分類
- 原産国:
- タイ
- 組立原産国:
- 入手不可
- 拡散国:
- 入手不可
