結果: 7
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 製品
構成
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値
コレクタ - エミッタ飽和電圧
25 Cでのコレクターの直流
ゲート - エミッタ リーク電流
パッケージ/ケース
最低動作温度
最高動作温度
パッケージ化
Infineon Technologies IGBT モジュール 1700 V, 600 A dual IGBT module
データシート
24在庫
8予想2026/04/16
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 800 A dual IGBT module
データシート
32在庫
最低： 1
複数： 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 800 A dual IGBT module
データシート
32在庫
最低： 1
複数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 450 A dual IGBT module
データシート
32予想2026/04/16
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
データシート
32予想2026/04/02
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 1200 V, 600 A dual IGBT module
データシート
32予想2026/04/16
最低： 1
複数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT モジュール 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
データシート
30取寄中
最低： 1
複数： 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray