RN車載バイアス抵抗器内蔵トランジスタ

Toshiba RN車載用バイアス抵抗器内蔵トランジスタ(BRT)は、AEC-Q101の認定を取得しており、スイッチング、インバータ回路、インターフェイス接続、ドライバ回路アプリケーション用に最適化されています。バイアス抵抗器を集積しており、必要な外付け部品数の削減、システムサイズの縮小、組み立て時間の短縮を実現します。Toshiba RN車載バイアス抵抗器BRTは、さまざまな回路設計に調整するための広い抵抗範囲を実現しています。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723 6,583在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 8,000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,562在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD保護ダイオード/TVSダイオード AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
9,000予想2026/03/02
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

SOD-323-2
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
5,990予想2026/03/02
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
6,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416 非在庫リードタイム 11 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 8,000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) N/A
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 N/A
最低: 1
複数: 1
リール: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) N/A
最低: 1
複数: 1
リール: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba デジタルトランジスタ AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 4,000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6