200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and RDS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

結果: 26
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
データシート
23,368在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET TRENCH >=100V
データシート
699在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
データシート
1,029在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 93 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
データシート
1,479在庫
5,000取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 200 V 76 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
データシート
36,726在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
データシート
7,819在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
データシート
10,650在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 578在庫
最低： 1
複数： 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 5,315在庫
4,000予想2027/02/04
最低： 1
複数： 1

Si Tube
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
データシート
932在庫
1,000予想2026/12/03
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
データシート
14,713在庫
8,800予想2026/10/14
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 9.7 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 161 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8
データシート
2,542在庫
4,000予想2027/01/07
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.7 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
データシート
4,317在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
データシート
8,434在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
データシート
4,447在庫
3,200予想2026/12/31
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
データシート
6,825在庫
15,000予想2027/04/08
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
データシート
2,936在庫
3,200予想2027/08/05
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
データシート
6,036在庫
20,800予想2027/01/28
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
データシート
3,115在庫
2,400予想2026/09/02
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
データシート
9,437在庫
12,000予想2026/09/10
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
データシート
108在庫
10,000予想2026/10/22
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
データシート
1,992在庫
36,800取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
データシート
483在庫
2,400予想2026/09/14
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
データシート
25,200予想2026/12/17
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
データシート
800予想2026/09/10
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 310 W Enhancement Tube