PSRAM (Pseudo SRAM) 半導体

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
データシート
198予想2026/04/24
最低： 1
複数： 1
最大： 66

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
データシート
72,367工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 10,000
複数： 10,000
リール: 10,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
データシート
リードタイム 20 週間
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 4,800
複数： 4,800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 非在庫リードタイム 20 週間
最低： 5,000
複数： 5,000
リール: 5,000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 4,800
複数： 4,800

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
データシート
非在庫リードタイム 14 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 18 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 3,000
複数： 3,000
リール: 3,000

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
データシート
在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000