TM3B0020120A

Coherent
508-TM3B0020120
TM3B0020120A

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Coherent
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
115 A
24.3 mOhms
- 20 V, + 20 V
2.8 V
172 nC
- 55 C
+ 200 C
660 W
Enhancement
ブランド: Coherent
構成: Single
下降時間: 12 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 30 S
パッケージ化: Tube
製品: SiC MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 39 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: MOSFET
標準電源切断遅延時間: 38 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 17 ns
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low RDS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.

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