MSC50DC120HJ

Microchip Technology
494-MSC50DC120HJ
MSC50DC120HJ

メーカ：

詳細：
ダイオード・モジュール PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
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製品属性 属性値 属性の選択
Microchip
製品カテゴリー: ダイオード・モジュール
RoHS:  
Screw Mount
SOT-227-4
1.2 kV
Full Bridge
1.5 V
- 55 C
+ 150 C
Tube
ブランド: Microchip Technology
製品: SiC Schottky Diode Modules
製品タイプ: Diode Modules
工場パックの数量: 1
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
技術: SiC
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選択した属性: 0

データシート

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USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

シリコンカーバイド（SiC）半導体

Microchip Technologyのシリコンカーバイド（SiC）半導体は、産業、医療、軍事/航空宇宙、航空、通信の市場セグメントをカバーする製品において、システム効率の向上、フォームファクタの小型化、動作温度の向上を目指すパワーエレクトロニクス設計者にとって革新的な選択肢です。Microchipの次世代SiC MOSFET、およびSiCショットキーバリアダイオード（SBD）は、高い繰り返し非クランプ誘導スイッチング（UIS）能力を持つように設計されており、同社のSiC MOSFETは、約10J/cm2 ～15J/cm2 で高いUIS能力を維持し、3ms～5msで堅牢な短絡保護を実現しています。Microchip TechnologyのSiC SBDは、スイッチング損失を低減するために、低逆電流でサージ電流、順電圧、熱抵抗、および熱静電容量の定格がバランスするように設計されています。また、SiC MOSFETとSiC SBDを組み合わせてモジュール化することも可能です。

シリコンカーバイド（SiC）パワーモジュール

Microchip Technology  シリコンカーバイド（SiC）パワーモジュールは、信頼性、効率性、省スペース、組み立て時間の短縮のために最適化された単一パッケージに、強力な技術の数々を組み合わせています。Microchip Technology社標準モジュール製品ラインは、回路トポロジー、シリコンカーバイドを含む半導体、電圧、電流定格、パッケージの幅広い選択肢を提供します。アプリケーション専用パワーモジュール（ASPM®）を使用すれば、独自の要件にも対応できます。

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