Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

結果: 5
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
シリーズ
パッケージ化
IXYS MOSFETモジュール TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
データシート
362在庫
最低： 1
複数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 1.07 mW IXFN420N10 Tube
IXYS MOSFETモジュール TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A
データシート
12在庫
300予想2026/05/06
最低： 1
複数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 130 A 19 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN160N30 Tube
IXYS MOSFETモジュール 360 Amps 100V
データシート
1,385取寄中
最低： 1
複数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.6 mOhms - 20 V, + 20 V 2.5 V - 55 C + 175 C 830 W IXFN360N10 Tube
IXYS MOSFETモジュール 155A 250V
データシート
300予想2026/09/30
最低： 1
複数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 168 A 12.9 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 150 C 900 W IXFN180N25 Tube
IXYS MOSFETモジュール 230A 200V
データシート
368予想2026/08/04
最低： 1
複数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 7.5 mOhms - 20 V, + 20 V 3 V - 55 C + 175 C 1.09 mW IXFN230N20 Tube