onsemi UF3SC シリーズ SiC MOSFET

結果: 7
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-7
データシート
748在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7
データシート
270在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4
データシート
255在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3
データシート
205在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
データシート
515在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
データシート
466在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7
データシート
56,800工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1
リール: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET