STDRIVEG210QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG210QTR
STDRIVEG210QTR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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¥-
合計 額:
¥-
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パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥547.2 ¥547
¥377.6 ¥3,776
¥344 ¥8,600
¥299.2 ¥29,920
¥283.2 ¥70,800
¥262.4 ¥131,200
¥249.6 ¥249,600
完全リール（3000の倍数で注文）
¥224 ¥672,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
2 Output
9.2 V
18 V
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
組立国: Not Available
拡散国: Not Available
原産国: TH
入力電圧－最大: 20 V
動作供給電流: 920 uA
出力電圧: 220 V
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 60 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 7 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: GaN
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選択した属性: 0

データシート

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics   STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。 

STDRIVEG210ハーフブリッジ・ゲートドライバ

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