疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

メモリ ICのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,005在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 369在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 514在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 755在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 551在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns 215在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 736在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 782在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,775在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 890在庫
800予想2026/08/31
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 135在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 134在庫
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 131在庫
100予想2027/03/23
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 496在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 1,669在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,319在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 32 Mbit Parallel
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1,945在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
2,828予想2026/09/11
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 202在庫
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit Parallel