PowerSaver メモリ IC

メモリ ICのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

SRAM
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

SRAM
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 348
複数: 348

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 300
複数: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 300
複数: 300

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 240
複数: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 96
複数: 96

SRAM SMD/SMT TSOP-48 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
リール: 1,500

SRAM TSOP-32
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel