AS3008316-035nX0PTBY

Name: Avalanche Technology AS3008316-035nX0PTBY
Brand: Avalanche Technology
SKU: 793-38316035NX0PTBY
Price: 5083 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

793-38316035NX0PTBY

メーカ番号：

AS3008316-035nX0PTBY

メーカ：

Avalanche Technology

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

データシート:

AS3008316-035nX0PTBY データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Avalanche Technology
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-54
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	8 Mbit
編成:	512 k x 16
データバス幅:	16 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	2.7 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	12 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 105 C
シリーズ:	AS3008316
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Avalanche Technology
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	96
トレードネーム:	STT-MRAM, MRAM

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データシート

AS3008316-035nX0PTBY データシート (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

パラレルP-SRAMメモリ

Avalanche Technology パラレル・パーシステントSRAMメモリは、1Mbit～32Mbitの密度範囲を提供する磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）です。P-SRAMメモリは、2.7V～3.6Vの電圧範囲で動作します。P-SRAMメモリデバイスは、小型フットプリント54ピンTSOP、44ピンTSOP、48ボールFBGAパッケージでご用意があります。これらのパッケージは、類似の低消費電力揮発性および非揮発性製品との互換性があります。パラレル・パーシステントSRAMメモリデバイスは、-40°C～85°Cの産業用および-40°C～105°Cの工業PLUS動作温度範囲で販売されています。