AS3032316 シリーズ MRAM（磁気抵抗メモリ）

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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
114在庫
最低： 1
複数： 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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複数： 2,000
リール: 2,000
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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複数： 1,000
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TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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複数： 2,000
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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複数： 1,000
リール: 1,000
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
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複数： 96
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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最低： 1,008
複数： 168
FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
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複数： 96
TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
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最低： 1,056
複数： 96

TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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最低： 1,008
複数： 168

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
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在庫なし
最低： 1,056
複数： 96

TSOP-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3032316 Tray