Parallel I/O (x16) MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 74
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
616在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
1,038在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
701在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
1,485在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
279在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
1,217在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
255在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
436在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
292在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
254在庫
540予想2026/03/25
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
43在庫
270予想2026/03/25
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
101在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
249在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
227在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
5在庫
324予想2026/04/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
5在庫
480予想2026/03/25
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
996予想2026/04/15
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel