ISSI SRAM

結果: 1,229
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 最高クロック周波数 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化

ISSI SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
1,122取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 151

8 Mbit 516 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
72予想2026/08/04
最低: 1
複数: 1
最大: 200

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM
1,177予想2026/05/04
最低: 1
複数: 1
最大: 263

16 Mbit 16 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 300 uA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
61予想2026/03/03
最低: 1
複数: 1
最大: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
41予想2026/05/07
最低: 1
複数: 1
最大: 200

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
72予想2026/07/14
最低: 1
複数: 1
最大: 13

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
472予想2026/05/26
最低: 1
複数: 1
最大: 5

16 Mbit 1 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Serial 3.6 V 2.2 V 5 mA, 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 210
複数: 210

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
リール: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 非在庫リードタイム 10 週間
最低: 480
複数: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
リール: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

256 kbit 32 k x 8 12 ns 83 MHz Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel