BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

メーカ:

詳細:
RF 増幅器 RF BIP TRANSISTORS

ECADモデル:
無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

在庫: 14,534

在庫:
14,534
すぐに出荷可能
取寄中:
15,000
予想2026/04/16
工場リードタイム:
12
週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(7500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥160 ¥160
¥137 ¥1,370
¥128 ¥3,200
¥118.4 ¥11,840
¥112 ¥28,000
¥106.4 ¥53,200
¥102.1 ¥102,100
¥101.8 ¥407,200
完全リール(7500の倍数で注文)
¥88.8 ¥666,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: RF 増幅器
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
チャンネル数: 1 Channel
Pd - 電力損失: 120 mW
製品タイプ: RF Amplifier
工場パックの数量: 7500
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
テスト周波数: 150 MHz
別の部品番号: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
単位重量: 2 mg
製品が見つかりました:
類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します
このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。
選択した属性: 0

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.