HMC8400-SX

Analog Devices
584-HMC8400-SX
HMC8400-SX

メーカ:

詳細:
RF 増幅器 2 GHz to 30 GHz, GaAs pHEMT MMIC Low Noise Amplifier

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Analog Devices Inc.
製品カテゴリー: RF 増幅器
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RoHS:  
2 GHz to 30 GHz
5 V
67 mA
13.5 dB
2.5 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
Die
GaAs
13.5 dBm
24 dBm
- 55 C
+ 85 C
HMC8400
Waffle
ブランド: Analog Devices
入力リターン損失: 15 dB
チャンネル数: 1 Channel
Pd - 電力損失: 1.55 W
製品タイプ: RF Amplifier
工場パックの数量: 2
サブカテゴリ: Wireless & RF Integrated Circuits
テスト周波数: 20 GHz to 30 GHz
単位重量: 18.490 g
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5-1214-6

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8542330000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.d

RFおよびマイクロ波ソリューション

Analog Devicesは、完全高速およびRFシグナルチェーンをカバーするコンポーネントを提供します。このポートフォリオは、増え続けるDCから>100GHzおよびそれ以上の周波数範囲全体でのテストと所有権のクラス最高の性能および低コストを誇る、プラットフォーム電子テストおよび測定システムの開発を可能にします。データコンバータ、RF、マイクロ波ICの傑出したサプライヤーとして、Analog Devicesは、全周波数スペクトルにわたって2,000以上の高性能製品を実現しています。

HMC84xx広帯域低ノイズアンプ

Analog Devices HMC84xx製品ファミリは、ガリウム砒素(GaAs)、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(HEMT)、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)、広い帯域幅の低ノイズアンプ(LNA)が特徴です。帯域幅の範囲には、0.01~10GHzおよびDC~28GHzが含まれます。HMC84xxアンプには、高ゲイン、低ノイズ値、高出力3次インターセプト(IP3)が備わっています。デバイスの最大22.5dBmの飽和出力電力(PSAT)によって、HMC84xx LNAは局部発振器(LO)ドライバとして機能できます。50Ωまでに内部整合された入力/出力(I/O)が備わったHMC84xxアンプは、表面実装技術(SMT)ベースの大容量マイクロ波無線アプリケーションによく適しています。これらのアプリケーションの一部には、計測機器、軍用レシーバ、光ファイバ、テレコムインフラストラクチャが含まれています。
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HMC8400低ノイズアンプ

Analog Devices HMC8400低ノイズアンプシリーズは、ガリウム砒素(GaAs)、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(HEMT)、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)、低ノイズアンプ(LNA)が特徴です。 このアンプは、67mA給電圧の場合に5Vで動作します。 HMC8400アンプは、13.5dBゲイン、1dBゲイン圧縮で14.5dBmの出力電力、低2dBノイズ指数を実現しています。 これらの低ノイズアンプには、2GHz~30GHzの間の周波数範囲があります。 HMC8400アンプには自己バイアス機能があり、単体の正電源の67mAのドレイン電流IDDを供給することのみ必要となります。 50Ωに内部整合されDCが遮断された入力/出力(I/O)によって、HMC8400アンプは、マルチチップモジュール(MCM)への統合を促進にします。 Analog Devices HMC8400低ノイズアンプは、計測機器、軍用レシーバ、光ファイバ、テレコムインフラストラクチャに最適です。
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