Wolfspeed / Cree GaN HEMT
Cree GaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) は、SiおよびGaAsトランジスタに比べて、より高い出力密度と幅広い帯域幅を提供しています。GaNには、シリコンやガリウム砒素に比べて、高耐圧、高飽和電子ドリフト速度、高い熱伝導率をはじめとする優れた特性があります。
For design flexibility, the Wolfspeed / Cree GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.
特徴
- High efficiency
- High gain
- Wide bandwidth capabilities
- High breakdown voltage
- High saturated electron drift velocity
- High thermal conductivity.
アプリケーション
- 2-Way Private Radio
- Broadband Amplifiers
- Cellular Infrastructure
- Test Instrumentation
- Class A, AB, Linear amplifiers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms
- Satellite Communications
- PTP Communications Links
- Marine Radar
- Pleasure Craft Radar
- Port Vessel Traffic Services
- High-Efficiency Amplifiers
