vsmy2850xハイスピードIR発光ダイオード
Vishay Semiconductors vsmy2850xハイスピードIR発光ダイオードには、GaAlAs表面エミッタチップテクノロジーに基づいた850nmのピーク波長が備わっています。これらのダイオードは、高光学パワー、高放射強度、高速が特徴です。VSMY2850xダイオードは、透明および着色されていないプラスチックパッケージ(レンズ付)で成形されており、表面実装を目的としています。
Vishay Semiconductors vsmy2850xハイスピードIR発光ダイオードには、GaAlAs表面エミッタチップテクノロジーに基づいた850nmのピーク波長が備わっています。これらのダイオードは、高光学パワー、高放射強度、高速が特徴です。VSMY2850xダイオードは、透明および着色されていないプラスチックパッケージ(レンズ付)で成形されており、表面実装を目的としています。