HV-D3 mSiC® パワーモジュール

マイクロチップ (Microchip) HV-D3 mSiC® パワーモジュールは、AIハイパースケール データセンターやその他の高電圧電力アプリケーション環境へのソリッドステートトランス(SST)の適合・導入を簡素化し、加速させます。これらの高効率パワーモジュールは、3.3kV 炭化ケイ素(SiC)mSiC MOSFETとショットキーダイオードを業界標準の62mmパッケージに統合しています。この設計構造により、中電圧グリッドから直接サーバーラックへの効率的な電力供給が可能になります。HV-D3モジュールは、要求の厳しいアプリケーションに向けに、低いスイッチング損失、優れた熱性能、および高電力密度を提供します。HV-D3 mSiCパワーモジュールの代表的なアプリケーションには、送配電、産業用電力、データセンター、船舶および宇宙航空、電気自動車(EV)インフラ、再生可能エネルギーシステムなどがあります。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-D3 2在庫
¥133,441.4
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 3在庫
¥163,434.1
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-D3 3在庫
¥83,893.8
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 2在庫
2予想2026/11/06
¥163,434.1
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-D3 非在庫リードタイム 26 週間
¥133,441.4
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFETモジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-D3 在庫なし
¥98,331.2
最低: 1
複数: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW